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KTC601E-GR
 型号：  KTC601E-GR
 标记/丝印/代码/打字：  L6
 厂家：  KEC
 封装：  SOT-553/TESV
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合三极管Complex Bipolar Transistor
    NPN+NPN
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KTC601E-GR L6 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 60V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 150mA
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 80MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 120~400
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage 100mV
耗散功率Pc Power Dissipation 200mW
Description & Applications Features ?EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR ?A super-minimold package houses 2 transistor. ?Excellent temperature response between these 2 transistor. ?High pairing property in hFE. ?The follwing characteristics are common for Q1, Q2 ?GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION.
描述与应用 特点 ?外延平面PNP晶体管 ?超小型模具包设有2个晶体管。 ?优秀的温度响应之间这2个晶体管。 ?高配对财产HFE。 ?在以下的特性是共同为Q1，Q2 ?通用应用。开关中的应用。
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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