KTX301U-GR CB 的参数 |
| 三极管BJT类型
TYPE |
PNP |
| 三极管BJT集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-50V |
| 三极管BJT集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-50V |
| 三极管BJT集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-150mA |
| 三极管BJT截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
80MHz |
| 三极管BJT直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
-2mA |
| 三极管BJT管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
-0.1~-0.3V |
| 二极管DIODE类型
TYPE |
快恢复-单管 Fast Recovery Diode-Single |
| 二极管DIODE反向电压VR
Reverse Voltage |
80V |
| 二极管DIODE正向整流电流Io
Rectified Current |
100mA |
| 二极管DIODE正向电压降VF
Forward Voltage(Vf) |
0.9V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
100mW |
| Description & Applications |
Features ?EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE DIODE ?Including two(TR, Diode) devices in USV.(Ultra Super Mini type with 5 leads) ?Simplify circuit design. ?Reduce a quantity of parts and manufacturing process. ?GENERAL PURPOSE APPLICATION. ?ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION. |
| 描述与应用 |
特点 ?外延平面PNP晶体管的硅外延平面型二极管 ?包括两名（TR，二极管）器件在USV（超超级迷你型5脚）。 ?简化电路设计。 ?减少了部件数量和制造工艺。 ?通用应用。 ?超高速开关应用。 |
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