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SI5855DC
 型号：  SI5855DC
 标记/丝印/代码/打字：  jb
 厂家：  VISHAY
 封装：  1206-8/vs-8
 批号：  05
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET+DIODE
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SI5855DC jb 的参数
MOSFET 类型 Type P沟道 P-Channel
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage -8V
最大漏极电流Id Drain Current -2.7A
源漏极导通电阻Rds(on) Drain-Source On-State Resistance 110m?@ VGS =-4.5V, ID =-2.7A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.45~-1.0V
DIODE 类型 Type 肖特基二极管SBD Schottky Barrier Diodes
反向电压Vr Reverse Voltage 20V
平均整流电流Io Average Rectified Current 1A
最大正向压降VF Forward Voltage(Vf) 0.375V@IF=1A
耗散功率Pd Power Dissipation 1.1W
Description & Applications P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode FEATURES Trench FET Power MOSFETS Ultra Low VfSchottky Si5853DC Pin Compatible APPLICATIONS Charging Circuit in Portable Devices
描述与应用 1.8-V（G-S）P沟道MOSFET与肖特基二极管 特点 沟槽FET功率MOSFET 超低VfSchottky的 SI5853DC引脚兼容 应用 便携式设备的充电电路
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