TPCP8503 8503 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
600V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
600V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
50mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
|
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
100~300 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
100mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
1100mW |
| Description & Applications |
Features ? TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type ? High breakdown voltage: VCEO = 600 V ? Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.0 V (max) (IC = 20 mA, IB = 0.5 mA) ? High-Voltage Switching Applications |
| 描述与应用 |
特点 ?东芝晶体管的硅NPN三重扩散类型 ?高击穿电压：VCEO=600 V ?低饱和电压VCE（星期六）= 1.0 V（最大值） ??（IC=20 mA时，IB=0.5毫安） ?高电压开关应用 |
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