HM3669 H3669 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
80V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
80V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
2A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
100MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
300 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
500mV/0.5V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
1W |
| Description & Applications |
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR The HM3669 is designed for using in power amplifier applications, power switching application. |
| 描述与应用 |
NPN外延平面晶体管 HM3669是专为使用功率放大器应用， 电源开关应用。 |
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