BC81716MTF 8FA 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
45V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
800mA/0.8A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
100MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
110~250 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
700mV/0.7V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
310mW/0.31W |
| Description & Applications |
NPN Epitaxial Silicon Transistor Features ? Switching and Amplifier Applications ? Suitable for AF-Driver stages and low power output stages ? Complement to BC807/ BC808 |
| 描述与应用 |
NPN外延硅晶体管 特点 ?开关和放大器应用 ?适用于AF驱动阶段和低功率输出级 ?补充BC807/ BC808 |
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