2SC6046 BW 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
75V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
40V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
600mA/0.6A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
250MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
100~300 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
300mV/0.3V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE DESCRIPTION 2SC6046 is a silicon NPN epitaxial type transistor designed with high collector current, low VCE（sat）. FEATURE ●High collector current IC（MAX） =600mA ●Low collector to emitter saturation voltage VCE（sat） <0.3Vmax (IC=150mA、IB=15mA） APPLICATION switching application, small type motor drive application. |
| 描述与应用 |
通用的高电流驱动应用 硅NPN外延型 说明 2SC6046硅NPN外延型晶体管设计 高集电极电流，低VCE（SAT）。 特写 ●高集电极电流 集成电路（MAX） =600毫安 ●低集电极到发射极饱和电压 VCE（sat）的 <0.3Vmax （IC =的150mA，IB=15毫安） 应用 开关应用中，小型电机驱动应用。 |
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