2SK2823 KK 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
10V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
100mA/0.1A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
7Ω/Ohm @10mA,2.5V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.5-1V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type For Portable Equipment High Speed Switch Applications Analog Switch Applications Features Silicon N Channel MOS Type For Portable Equipment High Speed Switch Applications Analog Switch Applications High input impedance 1.5 V gate drive Low gate threshold voltage: Vth = 0.5~1.0 V Small package |
| 描述与应用 |
东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 对于便携式设备 高速开关应用 模拟开关应用 特性 硅N沟道MOS型 对于便携式设备 高速开关应用 模拟开关应用 高输入阻抗 1.5 V门驱动 低栅极阈值电压VTH =0.5?1.0 V 小型封装 |
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