BC848BL3 E6327 1K 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
30V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
30V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
100mA/0.1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
250MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
200~450 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
200~600 mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
250mW/0.25W |
| Description & Applications |
NPN Silicon AF Transistors ? For AF input stages and driver applications ? High current gain ? Low collector-emitter saturation voltage ? Low noise between 30 Hz and 15 kHz ? Complementary types: BC856...-BC860...(PNP) ? Pb-free (RoHS compliant) package1) ? Qualified according AEC Q101 |
| 描述与应用 |
NPN硅晶体管自动对焦 ?AF输入级和驱动器应用 ?高电流增益 ?低集电极 - 发射极饱和电压，低管压降 ?低噪音之间30 Hz和15千赫 ?互补类型： ???BC856-BC860（PNP） ?符合AEC Q101 |
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