RT2C00M LE 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
6V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
200mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
200MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
150~800 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
300mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
150mW |
| Description & Applications |
Features ? COMPOSITE TRANSISTOR FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE ? Silicon npn epitaxial type Each transistor elements are independent. ? Mini package for easy mounting APPLICATION ? For low frequency amplify application |
| 描述与应用 |
特点 ?复合晶体管低频放大应用 硅NPN外延型 ?硅NPN外延型，每个晶体管的元素是独立的。 ?易于安装的小型封装 应用 ?对于低频放大应用 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
