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型号: |
RTQ035N03 |
标记/丝印/代码/打字: |
qp |
厂家: |
rohm |
封装: |
SOT-163/SOT23-6/TSMT6 |
批号: |
04nopb |
库存数量: |
0 |
所属分类: |
场效应管FET MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
技术文档PDF: |
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RTQ035N03 qp 的参数 |
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
30V |
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
12V |
最大漏极电流Id
Drain Current |
2.5A |
源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.067Ω/Ohm @2.5A,4.5V |
开启电压Vgs(th)
Gate-Source Threshold Voltage |
0.5-1.5V |
耗散功率Pd
Power Dissipation |
800mW/0.8W |
Description & Applications |
2.5V Drive Nch MOS FET Silicon N-channel MOS FET Low On-resistance. Space saving?small surface mount package (TUMT3). Low voltage drive (2.5V drive). |
描述与应用 |
2.5V驱动N沟道MOS FET 硅N沟道MOS FET 低导通电阻。 节省空间的小型表面贴装封装(TUMT3)。 低电压驱动 |
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相关型号列表 |
型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
RTQ030P02 |
TS |
ROHM |
05+ROHS |
SOT-163/SOT23-6/TSMT6 |
3948 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
RTQ035N03 |
QP |
ROHM |
04+ROHS |
SOT-163/SOT23-6/TSMT6 |
303600 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
RTQ035P02 |
TL |
ROHM |
05+NOPB50 |
SOT-163/SOT23-6/TSMT6 |
200 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
RTQ035P02 |
TL |
ROHM |
04 nopb |
SOT-163/SOT23-6/TSMT6 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
RTQ035N03 |
qp |
rohm |
04nopb |
SOT-163/SOT23-6/TSMT6 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
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