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BF995FD
 型号:  BF995FD
 标记/丝印/代码/打字:  MB
 厂家:  TEMIC
 封装:  SOT-143
 批号:  05+
 库存数量:  4200
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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BF995FD MB 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage
最大漏极电流Id Drain Current 30mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 3.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications N–Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode,Depletion Mode Applications Input- and mixer stages especially for FM- and VHF TV-tuners up to 300 MHz. Features Integrated gate protection diodes High cross modulation performance Low noise figure High AGC-range Low feedback capacitance
描述与应用 N沟道双栅MOS场效应四极管,耗尽模式 应用 输入和混频器的阶段,特别是调频和VHF电视调谐器,高达300 MHz。 特点 综合栅极保护二极管 高交叉调制性能 低噪声系数 高AGC范围 低反馈电容
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