TPCP8901 8901 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
100V/-50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V/-50V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
1A/-800mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
|
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
200~500/400~1000 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
170mV/-200mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
830mW |
| Description & Applications |
Features ? TOSHIBA Transistor Silicon NPN / PNP Epitaxial Type (PCT Process) ? Small footprint due to small and thin package ? High DC current gain : PNP hFE = 200 to 500 (IC = ?0.1 A) :NPN hFE = 400 to 1000 (IC = 0.1 A) ? Low collector-emitter saturation : PNP VCE (sat) = ?0.20 V (max) : NPN VCE (sat) = 0.17 V (max) ? High-speed switching : PNP tf = 70 ns (typ.) : NPN tf = 85 ns (typ.) ? Portable Equipment Applications ? Switching Applications |
| 描述与应用 |
特点 ?东芝晶体管的硅NPN/ PNP外延型（PCT工艺） ?由于占地面积小，小而薄的包装 ?高直流电流增益：PNP HFE=200?500（IC= -0.1）：NPN HFE=400至1000（IC=0.1 A） ?低集电极 - 发射极饱和：PNP VCE（sat）=-0.20 V（最大值）：NPN VCE（sat）= 0.17 V（最大值） ?高速开关：PNP TF=70 ns（典型值）：NPN TF=85 ns（典型值） ?便携式设备的应用 ?开关应用 |
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