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SI1501DL
 型号:  SI1501DL
 标记/丝印/代码/打字:  rn
 厂家:  VISHAY
 封装:  SOT-363/SC70-6
 批号:  03+
 库存数量:  0
 所属分类:  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET N沟道+P沟道MOSFET N-Channel and P-Channel
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SI1501DL rn 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V/-20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 8V/8V
最大漏极电流Id Drain Current 250mA/-180mA
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 2?@ VGS =4.5V, ID =250mA/3.8?@ VGS =-4.5V, ID =-180mA
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 0.4~1.5V/-0.4~-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications Complementary 20-V (D-S) Low-Threshold MOSFET
描述与应用 互补的20-V(D-S) 低阈值MOSFET
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