关键字:

查询类型:型号  厂家  标记/丝印/代码  封装 

热门查询: XC66DS01XXMR XC66CC2528MR XC6405FV03PR XC62SPR302MR XC6362A532SR XC6361 XC6361A332SR XC62KSOHXXMR XC62KSOTXXMR XC62PC02DR
  公司简介 经营品牌 产品搜索 在线商城 联系方式  
             

产品目录

 二极管Diodes (14214)
 三极管Bipolar Junction Transistors(BJT) (10341)
 场效应管FET (3745)
 电阻Resistor (4047)
 集成电路ICIntegrated Circuit(IC) (3398)
 电源管理ICPower Management IC/PMIC (7279)
 电感Inductor/Coil/Choke (5929)
 电容Capacitor (1604)
 磁珠Ferrite Bead (1040)
 晶振滤波Crystal Oscillator and Filter (1396)
 未分类 (2000)
 保险管FUSE (979)
 测试点Test Point (80)
 标记 (454)
 晶优晶振 (139)
 连接器 (39)
 衰减器Attenuator (17)
 可控硅/晶闸管Triac/Thyristor,SCR (225)
 晶振滤波 (8)
 编码器Switch (60)
 光电器件Optoelectronic (51)
 三极管Bipolar Junction Transistors(BJT (2)
 晶振 (3)
 测试点 (3)
 极管Diodes (1)
 磁珠Ferrite (2)
 片式天线 (14)
 集成电 (1)
 NATIONAL (1)
 场效应管 (1)
 电阻 (1)
 模块 (1)
 电源管理IC (1)
 三极管 (1)
  
BF1202WR
 型号:  BF1202WR
 标记/丝印/代码/打字:  LE
 厂家:  NXP/PHILIPS
 封装:  SOT-343/SC70-4
 批号:  08+ROHS
 库存数量:  0
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
 技术文档PDF:  在线阅读
   
 在线购买  

BF1202WR LE 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 10V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage
最大漏极电流Id Drain Current 30mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 0.3~1.2V
耗散功率Pd Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications N-channel dual-gate MOS-FETs VHF and UHF applications with 9 V supply voltage, such as television tuners and professional communications equipment. FEATURES Short channel transistor with high forward transfer admittance to input capacitance ratio Low noise gain controlled amplifier up to 1 GHz Internal self-biasing circuit to ensure good cross-modulation performance during AGC and good DC stabilization. APPLICATIONS VHF and UHF applications with 3V to9 V supply voltage, such as television tuners and professional communications equipment. DESCRIPTION Enhancement type N-channel field-effect transistor with source and substrate interconnected. Integrated diodes between gates and source protect against excessive input voltage surges. The BF1202, BF1202R and BF1202WR are encapsulated in the SOT143B, SOT143R and SOT343R plastic packages respectively.
描述与应用 N沟道双栅MOS场效应管 9伏的VHF和UHF的应用 电源电压,如电视 调谐器和专业的通信设备 特点 短沟道晶体管高正向转移导纳输入电容比 低噪声增益控制放大器高达1 GHz 内部自偏置电路,以确保良好的交叉调制在AGC的性能和良好的直流稳定化。 应用 VHF和UHF与3V到9 V电源电压的应用,例如电视调谐器和专业的通信设备。 说明 增强型N沟道场效应晶体管相互连接的源和衬底。门和源之间的集成二极管防止过高的输入电压浪涌。 BF1202,BF1202R BF1202WR SOT143B SOT143R SOT343R塑料封装封装。
技术文档PDF下载 在线阅读

 

 相关型号列表

型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
BF1201R LB NXP/PHILIPS ROHS 33R07+28R06 SOT-143 0 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
BF1201WR LA NXP/PHILIPS 08NOPB SOT-343/SC70-4 30000 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
BF1201WR LA NXP/PHILIPS 08NOPB SOT-343/SC70-4 0 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
BF1202WR LE NXP/PHILIPS 05+ SOT-343/SC70-4 0 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
BF1205 L4 NXP/PHILIPS 06+ROHS SOT-363/SC70-6 56600 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel 查看
BF1205 L4 NXP/PHILIPS 0652/07+ROHS SOT-363/SC70-6 0 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel 查看
BF1205C M6 NXP/PHILIPS 05+ SOT-363/SC70-6 3000 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel 查看
BF1202WR LE NXP/PHILIPS 08+ROHS SOT-343/SC70-4 0 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
BF1202R LE NXP/PHILIPS 0348NOPB SOT-143 0 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
BF1208 2L NXP/PHILIPS 09NOPB SOT-563 100 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel 查看

 

  公司简介 经营品牌 产品搜索 在线商城 联系方式  
             
             
深圳市新亚洲电子市场茂业电子商行
公司地址: 深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C035房 电话: 0755-88869068(4线)
企业QQ: 800036813 点击这里给我发消息 传真: 0755-61306100
电子邮箱:800036813@qq.com  


Copyright (c) 1995-2012  All rights reserved.   粤ICP备12037407号


营业执照