AM3457P 577 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-30 |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-5A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
75m?@ VGS = -4.5V,ID = -3.6A |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
2W |
| Description & Applications |
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET Features: ? Low rDS(on) trench technology ? Low thermal impedance ? Fast switching speed Typical Applications: ? Battery Powered Instruments ? Portable Computing ? Mobile Phones ? GPS Units and Media Players |
| 描述与应用 |
P沟道30-V（D-S）的MOSFET 特点： ?低RDS（ON）的沟槽技术 ?低热阻抗 ?开关速度快 典型应用： ?电池供电的仪器 ?便携式计算 ?手机 ?GPS装置和媒体播放器 |
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