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VEC2402
 型号：  VEC2402
 标记/丝印/代码/打字：  BH
 厂家：  SANYO
 封装：  VEC8
 批号：  08NOPB
 库存数量：  2700
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel
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VEC2402 BH 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 4A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 48m?@ VGS = 10V, ID = 2000mA
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1.0~2.4V
耗散功率Pd Power Dissipation 1W
Description & Applications N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Features ? The best suited for inverter applications. ? Low ON-resistance. ? Composite type facilitating high-density mounting. ? 4V drive. ? Mounting high 0.75mm.
描述与应用 N-沟道硅MOSFET 通用开关设备 特点 ?逆变器应用最适合。 ?低导通电阻。 ?复合型，促进高密度安装。 ?4V驱动器。 ?安装高0.75毫米。
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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