CPH3140 BB 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-120V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?100V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
120MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
140~400 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
?200mV/-0.2V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
900mW/0.9W |
| Description & Applications |
PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Features ? Adoption of FBET, MBIT processes. ? High breakdown voltage and large current capacity. ? High-speed switching. ? Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid ICs. |
| 描述与应用 |
PNP/ NPN平面外延硅晶体管 特点 ?通过FBET，MBIT过程。 高击穿电压和大电流的能力。 ?高速开关。 ?超小尺寸，使其易于提供高密度，小尺寸的混合集成电路 |
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