MMBT5089LT1 1R 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
30V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
25V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
100mA/0.1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
50Mhz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
400~1200 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
500mV/0.5V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
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| Description & Applications |
Low Noise Transistors This device is designed for low noise, high gain, general purpose amplifier applications at collector currents from 1μA to 50 mA. |
| 描述与应用 |
低噪声晶体管 该设备是专为低噪声，高增益，通用 放大器应用集电极电流1μA到50毫安。 |
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