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KTK5131V KA 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
50mA |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.04Ω/Ohm @10mA,2.5V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.5-1.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
100mW/0.1W |
| Description & Applications |
2.5 Gate Drive. Low Threshold Voltage : Vth=0.5 1.5V. High Speed. Small Package. Enhancement-Mode. |
| 描述与应用 |
低阈值电压VTH=0.51.5V。 高速。 小包装。 增强模式 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| KTK5132E |
KB |
KEC |
10NOPB |
SOT-523/ESM |
78000 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| KTK5132E |
KB |
KEC |
04+ |
SOT-523/ESM |
200 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| KTK5131V |
KA |
KEC |
06 |
SOT-523/ESM |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| KTK5132V |
KB |
KEC |
06+NOPB |
SOT-523/ESM |
7859 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| KTK5132S |
KB |
KEC |
08+NOPB |
SOT-23/SC-59 |
2600 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| KTK5134S-RTK |
KD |
KEC |
09+NOPB |
SOT-23/SC-59 |
200 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| KTK5131V |
KA |
KEC |
06NOPB |
SOT-523/ESM |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
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