2SJ586 CP 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
10V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-0.1A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
4.1Ω @-50mA,-4V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.8--1.8V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
300mW/0.3W |
| Description & Applications |
? Low on-resistance RDS = 4.1 ? typ. (VGS = -4 V , ID = -50 mA) RDS = 6.0 ? typ. (VGS= -2.5 V , ID = -50 mA) ? 2.5 V gate drive device. ? Small package (CMPAK) |
| 描述与应用 |
?低导通电阻 RDS= 4.1Ω（典型值）。 （VGS=-4 V，ID=-50毫安） RDS=6.0Ω（典型值）。 （VGS= -2.5 V，ID=-50毫安） ?2.5 V门驱动装置。 ?小型封装（CMPAK） |
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