BB502MBS-TL BS 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
6V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
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| 最大漏极电流Id
Drain Current |
20MA |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
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| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
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| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
150MW/0/15W |
| Description & Applications |
* Built in Biasing Circuit MOS FET IC .
* UHF RF Amplifier.
* Built in Biasing Circuit; To reduce using parts cost & PC board space.
* ow noise; NF = 1.6 dB typ. at f = 900 MHz
* High gain; PG = 22 dB typ. at f = 900 MHz
* Withstanding to ESD; Built in ESD absorbing diode. Withstand up to 200V at C=200pF, Rs=0 conditions. |
| 描述与应用 |
* 内置偏置电路MOS FET的IC。
* UHF射频放大器。
* 内置偏置电路降低零部件的成本与PC板空间。
* 低噪音; NF= 1.6 dB（典型值）。在f =900 MHz的
* 高增益PG= 22分贝典型。在f =900 MHz的
* 耐ESD;内置ESD吸收二极管。承受高达200V在C = 200pF，Rs = 0条件。 |
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