2SA1730S AHS 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?40V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-3A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
300MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
140~280 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
-300mV/-0.3V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
1.5W |
| Description & Applications |
PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Speed Switching Applications Features ? Adoption of FBET, MBIT processes. ? Large current capacity. ? Low collector-to-emitter saturation voltage. ? High-speed switching. ? Small-sized package. |
| 描述与应用 |
PNP外延平面硅晶体管 高速开关应用 特点 ?通过FBET，MBIT过程。 ?大电流容量。 ?低集电极 - 发射极饱和电压。 ?高速开关。 ?小型包装。 |
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