LBSS84LT1G PD 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-50V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
12V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-0.13A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
5.0Ω @100mA,5V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.8--2.0V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
225mW/0.225W |
| Description & Applications |
Power MOSFET 130 mAmps, 50 Volts P–Channel SOT–23 Energy Efficient Miniature SOT–23 Surface Mount Package Saves Board Space |
| 描述与应用 |
功率MOSFET 130毫安，50伏 P沟道SOT-23 高效节能 微型SOT-23表面贴装封装节省电路板空间 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
