2SD882SL D882SL 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
30V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
3A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
90MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
60~400 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
300mV/0.3V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
1W |
| Description & Applications |
NPN Silicon power transistor low collector saturation voltage ：Vce<0.5v excellent hFE linearity and high hFE：hFE :60 TO 400 |
| 描述与应用 |
NPN硅功率晶体管 低集电极饱和电压VCE<0.5V HFE出色的线性度和高HFE：HFE：60至400 |
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