MMBT3904-G 1AM 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
60V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
40V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
200mA/0.2A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
250Mhz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
100~300 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
300mV/0.3V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
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| Description & Applications |
Epitaxial planar die construction -As complementary type,the PNP Q172transistor MMBT3906-G is recommended |
| 描述与应用 |
外延平面模施工 ???作为互补型，PNP ?????建议晶体管MMBT3906-G |
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