LMBT6520LT1G 2Z 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-350V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-350V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
?500mA/-0.5A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
40~200MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
20~200 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
?500mV/-0.5V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
225mW/0.225W |
| Description & Applications |
PNP epitaxial planar transistor High Voltage Transistor FEATURE We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. |
| 描述与应用 |
PNP外延平面晶体管 高电压晶体管 特写 我们声明，产品符合RoHS要求的材料。 |
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