2SD1979GTL 3WT 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
20V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
500mA/0.5A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
80MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
800~2500 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
100mV/0.1V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
application Silicon NPN epitaxial planer type For low-voltage output amplification For muting For DC-DC converter Features Low ON resistance Ron High foward current transfer ratio hFE. S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automAtic insertion through the tape packing and the mAgazine packing |
| 描述与应用 |
应用 NPN硅外延平面型 对于低电压输出放大 对于静音 用于DC-DC转换器 特点 低导通电阻Ron 高FOWARD电流传输比HFE。 S-迷你型包装，使瘦身的设备和 通过自动插入带包装盒包装 |
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