MA3SD29FGL M5R 的参数 |
| 反向电压Vr
Reverse Voltage |
30V |
| 平均整流电流Io
AVerage Rectified Current |
75mA |
| 最大正向压降VF
Forward Voltage(Vf) |
420mV/0.42V |
| 最大耗散功率Pd
Power dissipation |
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| Description & Applications |
? Schottky Barrier Diodes (SBD) ? Silicon epitaxial planar type ? For super high speed switching circuits ? Low forward voltage VF : < 0.42 V (at IF = 100 mA) ? Optimum for high-frequency rectififi cation ? Short reverse recovery time trr ? Schottky Barrier Diodes in Series |
| 描述与应用 |
?肖特基势垒二极管（SBD） ?硅外延平面型 ?超高速开关 ?低正向电压VF：<0.42 V（在IF= 100 mA时） ?最佳为高频rectififi阳离子 ?短的反向恢复时间trr ?串联的肖特基二极管 |
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