SI1021R-T1-GE3 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-190mA/-0.19A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
4Ω @-500mA,-10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-1--3V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
250mW/0.25W |
| Description & Applications |
FEATURES ? Halogen-free Option Available ? TrenchFET Power MOSFETs ? High-Side Switching ? Low On-Resistance: 4 Ω ? Low Threshold: - 2 V (typ.) ? Fast Switching Speed: 20 ns (typ.) ? Low Input Capacitance: 20 pF (typ.) ? Miniature Package ? ESD Protected: 2000 V |
| 描述与应用 |
?无卤股权 ?的TrenchFET 功率MOSFET ?高边开关 ?低导通电阻：4Ω ?低阈值： - 2 V（典型值） ?开关速度快：20 ns（典型值） ?低输入电容20 PF（典型值） ?微型包装 ?ESD保护：2000 V |
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