SIA913ADJ-T1-GE3 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-12V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
-8V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-4.5A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
115m?@ VGS = -1.8V, ID = -1A |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.4~-1V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
6.5W |
| Description & Applications |
Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES ? Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ? Trench FET Power MOSFET ? New Thermally Enhanced Power PAK SC-70 Package - Small Footprint Area - Low On-Resistance APPLICATIONS ? Load Switch, PA Switch and Battery Switch for Portable Devices |
| 描述与应用 |
双P沟道12-V（D-S）的MOSFET 特点 ??根据IEC 61249-2-21的无卤素 ??沟槽FET功率MOSFET ??新的耐热增强型电源PAK SC-70封装 - 小占位面积 - 低导通电阻 应用 ??负荷开关，PA，用于便携式设备的开关和电池开关 |
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