2SA1418S-TD ADS 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-180V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-160V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-700mA/-0.7A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
120MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
140~280 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
-120mV/-0.12V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications |
PNP/NPN Epitaxial planar silicon transistors High-voltage switching Predriver applications Features · Adoption of FBET, MBIT processes. · High breakdown voltage and large current capacity. · Fast switching time. · Very small size making it easy to provide highdensity, small-sized hybrid ICs. |
| 描述与应用 |
PNP/ NPN外延平面硅晶体管 高压开关 预驱动器应用 特点 ·采用FBET，MBIT过程。 ·高击穿电压和大电流的能力。 ·快速开关时间。 ·体积非常小，因此很容易提供高密度，小尺寸的混合集成电路。 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
