HN4B101J 5K 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-30V/50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-30V/30V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-1A/1.2A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
|
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
200~500 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
-200mV/170mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
550mW |
| Description & Applications |
Features ? TOSHIBA Transistor Silicon PNP / NPN Epitaxial Type (PCT Process) ? Small footprint due to a small and thin package ? High DC current gain : hFE = 200 to 500 (IC = ?0.12 A) ? Low collector-emitter saturation: PNP VCE (sat) = ?0.20 V (max): NPN VCE (sat) = 0.17 V (max) ? High-speed switching : PNP tf = 45 ns (typ.): NPN tf= 50 ns (typ.) ? MOS Gate Drive Applications ，Switching Applications |
| 描述与应用 |
特点 ?东芝晶体管的硅PNP/ NPN外延型（PCT工艺） ?由于占地面积小，小而薄的封装 ?高直流电流增益：HFE=200?500（IC= -0.12） ?低集电极 - 发射极饱和：PNP VCE（星期六）=-0.20 V（最大值）：NPN VCE（星期六）= 0.17 V（最大值） ?高速开关：PNP tf=45 ns（典型值）：NPN tf= 50 ns（典型值） ?MOS栅极驱动应用，开关应用 |
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