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2N7002K T/R
 型号：  2N7002K T/R
 标记/丝印/代码/打字：  K72
 厂家：  PANJIT
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  08NOPB
 库存数量：  24000
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2N7002K T/R K72 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 300mA/0.3A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 3Ω/Ohm @500mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 350mW/0.35W
Description & Applications TrenchMOS? logic level FET Description N-channel enhancement mode ?eld-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS? technology Features TrenchMOS? logic level FET Logic level compatible Very fast switching Subminiature surface mount package Gate-source ESD protection diodes
描述与应用 renchMOS?逻辑电平FET 描述 N沟道增强型场效应晶体管在一个塑料包装用 的TrenchMOS?技术 特性 TrenchMOS?逻辑电平FET 逻辑电平兼容 开关速度非常快 超小型表面贴装封装 栅源ESD保护二极管
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