2N7002K T/R K72 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
300mA/0.3A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
3Ω/Ohm @500mA,10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1-2.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
350mW/0.35W |
| Description & Applications |
TrenchMOS? logic level FET Description N-channel enhancement mode ?eld-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS? technology Features TrenchMOS? logic level FET Logic level compatible Very fast switching Subminiature surface mount package Gate-source ESD protection diodes |
| 描述与应用 |
renchMOS?逻辑电平FET 描述 N沟道增强型场效应晶体管在一个塑料包装用 的TrenchMOS?技术 特性 TrenchMOS?逻辑电平FET 逻辑电平兼容 开关速度非常快 超小型表面贴装封装 栅源ESD保护二极管 |
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