MA4S713 M1N 的参数 |
| 反向电压Vr
Reverse Voltage |
30V |
| 平均整流电流Io
AVerage Rectified Current |
20mA |
| 最大正向压降VF
Forward Voltage(Vf) |
1V |
| 最大耗散功率Pd
Power dissipation |
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| Description & Applications |
? Schottky Barrier Diodes (SBD) ? Silicon epitaxial planar type ? For switching circuits ? For wave detection circuit ? Two isolated elements contained in one package, allowing highdensity mounting ? Optimum for low-voltage rectification because of its low forward rise voltage (VF) ? Optimum for high-frequency rectification because of its short reverse recovery time (trr) |
| 描述与应用 |
?肖特基势垒二极管（SBD） ?硅外延平面型 ?开关电路 ?波检测电路 ?两个孤立的元素包含在一个包装，允许高密度安装 ?最适用于低电压整流，低正向电压上升（VF） ?最佳高频整流，因为其反向恢复时间短（TRR） |
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