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型号： |
FDN304PZ |
| 标记/丝印/代码/打字： |
04Z |
| 厂家： |
FAIRCHILD |
| 封装： |
SOT-23/SC-59 |
| 批号： |
06NOPB |
| 库存数量： |
0 |
| 所属分类： |
场效应管FET
MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
| 技术文档PDF： |
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FDN304PZ 04Z 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
8V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-2.4A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.036Ω @-2.4A,-4.5V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.4--1.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications |
? Fast switching speed ? High performance trench technology for extremely low RDS(ON) ? SuperSOT TM -3 provides low RDS(ON) and 30% higher power handling capability than SOT23 in the same footprint |
| 描述与应用 |
?开关速度快 ?高性能沟道技术极 低RDS（ON） ?的SuperSOT TM-3提供低RDS（ON）和30％上 在相同的空间比SOT23封装的功率处理能力 |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| FDN302P |
302 |
FAIRCHILD |
10+ROHS |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| FDN302P |
302 |
FAIRCHILD |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
780 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| FDN303 |
303 |
FAIRCHILD |
05+ |
SOT-23 |
20 |
未分类 |
查看 |
| FDN304P |
304P |
FAIRCHILD |
08+NOPB |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| FDN304P |
304P |
FAIRCHILD |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
2665 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| FDN306P |
306 |
FAIRCHILD |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
50 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| FDN306P |
306 |
FAIRCHILD |
06+ |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| FDN304PZ |
04Z |
FAIRCHILD |
06NOPB |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| FDN304PZ |
04Z |
FAIRCHILD |
06NOPB |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
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