TPC6603 H3E 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-30V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-20V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-3A |
| Q1基极输入电阻R1
Input Resistance(R1) |
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| Q1基极-发射极输入电阻R2
Base-Emitter Resistance(R2) |
200~500 |
| Q1电阻比(R1/R2)
Q1 Resistance Ratio |
-190mV |
| Q2基极输入电阻R1
Input Resistance(R1) |
800mW |
| Q2基极-发射极输入电阻R2
Base-Emitter Resistance(R2) |
Features ? TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type ? High DC current gain: hFE = 200 to 500 (IC = ?0.5 A) ? Low collector-emitter saturation: VCE (sat) = ?0.19 V (max) ? High-speed switching: tf = 40 ns (typ.) ? Switching Applications ? DC/DC Converter Applications ? Strobe Flash Applications |
| Q2电阻比(R1/R2)
Q2 Resistance Ratio |
特点 ?东芝晶体管的硅PNP外延型 ?高直流电流增益：HFE=200?500（IC=-0.5） ?低集电极 - 发射极饱和：VCE（星期六）=-0.19 V（最大值） ?高速开关：TF =40 ns（典型值） ?开关应用 ?DC / DC转换器应用 ?闪光灯应用 |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
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| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
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| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
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| Description & Applications |
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| 描述与应用 |
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