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PBSS5540X
 型号：  PBSS5540X
 标记/丝印/代码/打字：  P1G
 厂家：  NXP/PHILIPS
 封装：  SOT-89/SC-62
 批号：  11+ROHS
 库存数量：  11877
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  PNP
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PBSS5540X P1G 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) -40V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) ?40V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) -4A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 60MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 250
管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage -375mV/-0.375V
耗散功率Pc PoWer Dissipation 550mW/0.55W
Description & Applications 40 V low VCE(sat) PNP transistor FEATURES ? Low collector-emitter saturation voltage VCEsat ? High collector current capability: IC and ICM ? High efficiency leading to less heat generation. ? NPN complement: PBSS4540X. APPLICATIONS ? Supply line switching circuits ? Battery management applications ? DC/DC converter applications ? Strobe flash units ? Medium power driver (e.g. relays, buzzers and motors).
描述与应用 40伏的低VCE（sat）的PNP晶体管 特点 ?低集电极 - 发射极饱和电压VCE监测 ?高集电极电流能力：IC和ICM ?高效率导致更少的热量发电。 ?NPN补充：PBSS4540X。 应用 ?供电线路开关电路 ?电池管理应用 ?DC / DC转换器应用 ?闪光灯单元 ?中等功率驱动器（如继电器，蜂鸣器和电机）。
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