关键字：

查询类型：型号  厂家  标记/丝印/代码  封装 

热门查询： 0402CS-5N6X 0402CS-5N6 DB2X RT1P441M MAZS100 SM8146 SM8142AD SM6503A 千 NS/
　 公司简介 经营品牌 产品搜索 在线商城 联系方式 　
　 　 　 　 　 　 　

产品目录
 二极管Diodes (14263)
 三极管Bipolar Junction Transistors(BJT) (10359)
 场效应管FET (3756)
 电阻Resistor (4244)
 电源管理ICPower Management IC/PMIC (7296)
 集成电路ICIntegrated Circuit（IC） (3418)
 电感Inductor/Coil/Choke (5941)
 电容Capacitor (1614)
 磁珠Ferrite Bead (1041)
 晶振滤波Crystal Oscillator and Filter (1400)
 晶优晶振 (170)
 未分类 (1991)
 保险管FUSE (978)
 测试点Test Point (86)
 标记 (454)
 连接器 (39)
 可控硅/晶闸管Triac/Thyristor,SCR (226)
 衰减器Attenuator (19)
 晶振 (6)
 晶振滤波 (8)
 光电器件Optoelectronic (51)
 编码器Switch (61)
 极管Diodes (1)
 磁珠Ferrite (2)
 测试点 (3)
 片式天线 (14)
 集成电 (1)
 场效应管 (1)
 NATIONAL (1)
 电阻 (1)
 模块 (1)
 电源管理IC (1)
 三极管Bipolar Junction Transistors(BJT (2)
 三极管 (1)
   
SSM6L39TU
 型号：  SSM6L39TU
 标记/丝印/代码/打字：  LL1
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-363/SC70-6/UF6
 批号：  12+ROHS
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET N沟道+P沟道MOSFET N-Channel and P-Channel
 技术文档PDF：  在线阅读
　 　
 在线购买 　

SSM6L39TU LL1 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V/-20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 10V/8V
最大漏极电流Id Drain Current 1.6A/-1.5A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 119m?@ VGS = 4V, ID = 1000mA/ 213m?@ VGS = -4V, ID = -1000mA
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.35~1.0V/-0.3~1.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 500mW/0.5W
Description & Applications TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N / P Channel MOS Type ○ Power Management Switch Applications ○ High-Speed Switching Applications ? N-ch: 1.5-V drive P-ch: 1.8-V drive ? N-ch, P-ch, 2-in-1 ? Low ON-resistance Q1 N-ch: Ron = 247 mΩ (max) (@VGS = 1.5 V) Ron = 190 mΩ (max) (@VGS = 1.8 V) Ron = 139 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V) Q2 P-ch: Ron = 430 mΩ (max) (@VGS = ?1.8 V) Ron = 294 mΩ (max) (@VGS = ?2.5 V)
描述与应用 东芝场效应晶体管的硅N / P沟道MOS型 ○电源管理开关应用 ○高速开关应用 ?N-CH：1.5-V驱动器 P-CH：1.8-V驱动器 ?N-沟道，P-沟道，2合1 ?低导通电阻Q1 N沟道：RON= 247MΩ（最大）（@ VGS= 1.5 V） RON=190MΩ（最大）（@ VGS= 1.8 V） RON= 139MΩ（最大）（@ VGS= 2.5 V） Q2 P-CH：RON= 430MΩ（最大）（@ VGS=-1.8 V） RON= 294MΩ（最大）（@ VGS=-2.5 V）
技术文档PDF下载 在线阅读

　

 相关型号列表
型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
SSM6L05FU K4 TOSHIBA 06rohs884 SOT-363/SC70-6/UF6 1884 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET N沟道+P沟道MOSFET N-Channel and P-Channel 查看
SSM6L05FU K4 TOSHIBA 13+rohs SOT-363/SC70-6/UF6 171000 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET N沟道+P沟道MOSFET N-Channel and P-Channel 查看
SSM6L09FU K5 TOSHIBA 06+ROHS SOT-363/SC70-6/UF6 17 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET N沟道+P沟道MOSFET N-Channel and P-Channel 查看
SSM6L12TU K9 TOSHIBA 11+NOPB SOT-363/SC70-6/UF6 0 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET N沟道+P沟道MOSFET N-Channel and P-Channel 查看
SSM6L16FE K6 TOSHIBA 12+ROHS SOT-563/ES6 40800 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET N沟道+P沟道MOSFET N-Channel and P-Channel 查看
SSM6L36FE LL4 TOSHIBA 09+ROHS SOT-563/ES6 2500 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET N沟道+P沟道MOSFET N-Channel and P-Channel 查看
SSM6L39TU LL1 TOSHIBA 12+ROHS SOT-363/SC70-6/UF6 0 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET N沟道+P沟道MOSFET N-Channel and P-Channel 查看
SSM6L39TU LL1 TOSHIBA 12+ROHS SOT-363/SC70-6/UF6 0 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET N沟道+P沟道MOSFET N-Channel and P-Channel 查看
SSM6L11TU K8 TOSHIBA 11+ROHS SOT-363/SC70-6/UF6 0 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET N沟道+P沟道MOSFET N-Channel and P-Channel 查看
SSM6L36FE LL4 TOSHIBA 12+ROHS SOT-563/ES6 0 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET N沟道+P沟道MOSFET N-Channel and P-Channel 查看
SSM6L11TU K8 TOSHIBA 11+ROHS SOT-363/SC70-6/UF6 9000 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET N沟道+P沟道MOSFET N-Channel and P-Channel 查看
SSM6L40TU LL2 TOSHIBA 15+ROHS SOT-363/SC70-6/UF6 0 场效应管FET-复合场效应管Complex FET 查看
SSM6L12TU K9 TOSHIBA 11+ROHS SOT-363/SC70-6/UF6 0 场效应管FET 查看

　
　 公司简介 经营品牌 产品搜索 在线商城 联系方式 　
　 　 　 　 　 　 　
　 　 　 　 　 　 　
深圳市新亚洲电子市场茂业电子商行
公司地址: 深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C035房 电话: 0755-88869068（4线）
企业QQ: 800036813 点击这里给我发消息 传真: 0755-61306100
电子邮箱:800036813@qq.com  


Copyright (c) 1995-2012  All rights reserved.   粤ICP备12037407号


营业执照