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LP2301LT1G 1 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
8V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-2.3A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.069Ω @-2.8A,-4.5V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
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| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
900mW/0.9W |
| Description & Applications |
Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device Pb-Free package is available |
| 描述与应用 |
简单的驱动要求 小封装 表面贴装设备 无铅封装 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| LP2301LT1G |
1 |
LRC |
11+ROHS |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| LP2301LT1G |
1 |
LRC |
11+ROHS |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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