BC817DPN N4 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
50V/-50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
45V/-45V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
500mA/-500mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
100MHz/80MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
160~400 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
700mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
370mW |
| Description & Applications |
Features ? NPN/PNP general purpose double transistor ? High current (500 mA) ? 600 mW total power dissipation ? Replaces two SOT23 packaged transistors on same PCB area. APPLICATIONS ? General purpose switching and amplification ? Complementary driver ? Half and full bridge driver. |
| 描述与应用 |
特点 ?NPN/ PNP通用双晶体管 ?高电流（500毫安） ?600 mW的总功耗 ?替换两个SOT23封装的晶体管相同的PCB面积。 应用 ?通用开关和放大 ?互补驱动器 ?半桥和全桥驱动器 |
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