MBT2222ADW1T1 1P 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
75V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
40V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
600mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
300MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
300 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
300mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
150mW |
| Description & Applications |
Features ? General Purpose Transistor NPN Silicon ? Moisture Sensitivity Level: 1 ? ESD Rating: Human Body Model ? 4 kV Machine Model ? 400 V |
| 描述与应用 |
特点 ?通用晶体管NPN硅 ?湿度敏感度等级：1 ?ESD额定值：人体模型 - 4千伏机器型号 - 400 V |
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