HN1C26FS 7H 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
60V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
100mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
60MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
120~400 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
100mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
50mW |
| Description & Applications |
Features ? TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) ? Two devices are incorporated into a fine-pitch, small-mold (6-pin) package. ? High voltage : VCEO = 50 V ? High current : IC = 100 mA (max) ? High hFE : hFE = 120 to 400 ? Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (typ.) |
| 描述与应用 |
特点 ?东芝晶体管的硅NPN外延型（PCT进程） ?两个设备都纳入细间距，小型模具（6针）封装。 ?高电压：VCEO= 50 V ?高电流：IC= 100 mA（最大） ?高HFE：HFE=120?400 ?优秀的HFE线性：HFE（IC= 0.1毫安）/ HFE（IC= 2毫安）=0.95（典型值） |
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