HN4C51J 33 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
120V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
120V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
100mA/0.1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
100MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
200~700 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
300mV/0.3V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
300mW/0.3W |
| Description & Applications |
Features : TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) . High voltage : VCEO = 120V .High hFE : hFE = 200~700 .Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1mA) / hFE (IC = 2mA) = 0.95 (typ.) . Low noise : NF = 1dB(typ.) .Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications. |
| 描述与应用 |
特点 ?东芝晶体管的硅NPN外延式（PCT的进程） .高电压：VCEO=120V ?高HFE：HFE=200~700 .优异的线性度：（IC=0.1毫安）/ HFE（IC=2毫安）=0.95（典型值）.低噪音：NF=1分贝（典型值）.音频通用放大器应用 |
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