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HN4B04J
 型号：  HN4B04J
 标记/丝印/代码/打字：  31
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-153/SMV
 批号：  12+ROHS
 库存数量：  11800
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合三极管Complex Bipolar Transistor
    PNP+NPN
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HN4B04J 31 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) -35V/35V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) -30V/30V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) -500mA/500mA
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 200MHz/300MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 70~240
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage -100mV/100mV
耗散功率Pc Power Dissipation 300mW
Description & Applications Features ? TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Q1: ? Excellent hFE linearity : hFE(2) =25 (Min.) at VCE = ?6V IC = ?400mA Q2: ? Excellent hFE linearity : hFE(2) =25 (Min.) at VCE = 6V IC = 400mA ? Excellent hFE Linearity : hFE (IC = ?0.1mA) / hFE (IC = ?2mA) = 0.95 (typ.) ? Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications
描述与应用 特点 ?东芝晶体管的硅PNP外延型（PCT工艺）硅NPN外延型（PCT工艺） Q1： ?优秀的在HFE线性：HFE（2）=25（分钟）在VCE=6V IC=-400毫安 Q2： ?出色的线性度：HFE HFE（2）=25（分钟）在VCE=6V IC =400毫安 ?优秀的线性：HFE HFE（IC=-0.1毫安的）/ HFE（IC=-2毫安，）= 0.95（典型值） ?音频通用放大器应用
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