HN4B04J 31 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-35V/35V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-30V/30V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-500mA/500mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
200MHz/300MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
70~240 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
-100mV/100mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
300mW |
| Description & Applications |
Features ? TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Q1: ? Excellent hFE linearity : hFE(2) =25 (Min.) at VCE = ?6V IC = ?400mA Q2: ? Excellent hFE linearity : hFE(2) =25 (Min.) at VCE = 6V IC = 400mA ? Excellent hFE Linearity : hFE (IC = ?0.1mA) / hFE (IC = ?2mA) = 0.95 (typ.) ? Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications |
| 描述与应用 |
特点 ?东芝晶体管的硅PNP外延型（PCT工艺）硅NPN外延型（PCT工艺） Q1： ?优秀的在HFE线性：HFE（2）=25（分钟）在VCE=6V IC=-400毫安 Q2： ?出色的线性度：HFE HFE（2）=25（分钟）在VCE=6V IC =400毫安 ?优秀的线性：HFE HFE（IC=-0.1毫安的）/ HFE（IC=-2毫安，）= 0.95（典型值） ?音频通用放大器应用 |
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