DMN55DOUT-7 NAC 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
50V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
±12V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
160MA/0.16A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
4Ω~5Ω VGS = 2.5V, ID = 80mA |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.7v~1v |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
200MW/0.2W |
| Description & Applications |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR.
* Low On-Resistance.
* Very Low Gate Threshold Voltage .
* Low Input Capacitance .
* ESD Protected Gate to 2kV . |
| 描述与应用 |
N沟道增强型场效应晶体管。
*低导通电阻。
*非常低的栅极阈值电压。
*低输入电容。
* ESD保护门2KV。 |
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