|
|
|
|
|
|
|
CES521 RB 的参数 |
| 反向电压Vr
Reverse Voltage |
30V |
| 平均整流电流Io
AVerage Rectified Current |
200mA/0.2A |
| 最大正向压降VF
Forward Voltage(Vf) |
0.5V |
| 最大耗散功率Pd
Power dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
Schottky Barrier Diode Silicon Epitaxial.
Applications.
* High-Speed Switching.
Features.
(1) Low forward voltage: VF(3) = 0.5 V (max).
(2) Small and compact ESC package, equivalent to SOD-523 and SC-79
packages. |
| 描述与应用 |
肖特基二极管硅外延。
应用程序。
*高速开关。
特色：
（1）低正向电压VF（3）=0.5 V（最大值）。
（2）小而紧凑的ESC包，相当于SOD-523，SC-79
包 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
|
|
|
|
|
相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| CES520 |
RA |
TOSHIBA |
12+ROHS |
SOD-523/SC-79/ESC/0603 |
170000 |
二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-单管Single |
查看 |
| CES520 |
RA |
TOSHIBA |
12+80Krohs 11+16Krohs |
SOD-523/SC-79/ESC/0603 |
183950 |
二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-单管Single |
查看 |
| CES521 |
RB |
TOSHIBA |
12+ROHS |
SOD-523/SC-79/ESC/0603 |
300000 |
二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-单管Single |
查看 |
| CES521 |
RB |
TOSHIBA |
11+rohs |
SOD-523 |
55980 |
二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-单管Single |
查看 |
|
|
|
