2SC2882-0 EO 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
80V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
80V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
400mA/0.4A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
100MHZ |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
70~240 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
0.4V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
1W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process).
Power Amplifier Applications.
Voltage Amplifier Applications.
* Suitable for driver of 30 to 35 watts audio amplifier.
* Small flat package.
* PC = 1.0 to 2.0 W (mounted on a ceramic substrate) .
* Complementary to 2SA1202 . |
| 描述与应用 |
TOSHIBA晶体管的硅NPN外延式（PCT程序）。
功率放大器应用。
电压放大器的应用。
*适用于30至35瓦音频放大器驱动器。
*小型扁平封装。
* PC=1.0??2.0 W（安装在陶瓷基板上）。
*互补2SA1202。 |
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