2N7002-7-GIGA K72 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
±20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
0.115A/115MA |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
4.4Ω~13.5Ω VGS = 10V, ID = 0.5A |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1.0V~2.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
300MW/0.3W |
| Description & Applications |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR.
* Low On-Resistance: RDS(ON).
* Low Gate Threshold Voltage.
* Low Input Capacitance.
* Fast Switching Speed.
* Low Input/Output Leakage. |
| 描述与应用 |
N沟道增强型场效应晶体管。
*低导通电阻RDS（ON）。
*低栅极阈值电压。
*低输入电容。
*开关速度快。
*低输入/输出漏。 |
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