1SS417CT X 的参数 |
| 反向电压Vr
Reverse Voltage |
40V |
| 平均整流电流Io
AVerage Rectified Current |
100mA/0.1A |
| 最大正向压降VF
Forward Voltage(Vf) |
560mV/0.56V |
| 最大耗散功率Pd
Power dissipation |
100MW/0.1W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type.
High Speed Switching Application.
Small package.
Low forward voltage: VF (3) = 0.56 V (typ.).
Low reverse current: IR = 5 μA (max). |
| 描述与应用 |
东芝二极管硅外延肖特基类型。
高速开关应用。
小包装。
低正向电压VF（3）=0.56 V（典型值）。
低反向电流：IR= 5μA（最大值）。 |
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